Samsung Electronics планирует внедрить 1-нанометровый техпроцесс, который также называют «техпроцессом мечты», к 2030 году. Как сообщает Korea Economic Daily со ссылкой на источники в отрасли, компания рассматривает этот техпроцесс как следующий важный шаг в технологической гонке с TSMC и планирует использовать его для укрепления своих позиций на рынке передовых полупроводников.
Ключевой особенностью будущего 1-нм процесса станет архитектура forksheet. В текущих 2-нанометровых решениях Samsung применяет технологию GAA (Gate-All-Around), но на следующем этапе компания намерена добавить между этими структурами электрически изолирующие стенки. Это позволит плотнее размещать элементы на той же площади кристалла, что в свою очередь увеличит количество транзисторов в пределах прежней площади.
Одновременно Samsung ускоряет развитие 2-нанометрового техпроцесса. Компания разрабатывает несколько его вариантов, включая SF2T — 2-нанометровый процесс для SoC Tesla AI6, производство которого планируется начать с 2027 года на заводе Samsung в Тейлоре, США. Также компания развивает варианты SF2P, который начнут применять уже в этом году для новых мобильных процессоров, и SF2P+, запуск которого намечен на следующий год.
По информации от представителей отрасли, выход годных кристаллов с текущим 2-нанометровым процессом Samsung уже превышает 60%.